也是一种电容，只不过在功能上有所加强，能够在电路主更发挥它优势，每一种补品电容都有不同的特点。主要根据自己的电路设计要求而定。主要用于功放。
　　以下是各种补品电容只作为参考：
　　ELNA补品电容 ：用料上乘，引脚采用无氧铜，线材粗壮铝箔采用陶瓷微粒工艺，外观点体积交大，最为突出表现是损耗角tgδ特别低。
　　CERAFINE( 红袍 ) 和 DUOREX( 紫袍 ) 音质表现： 音色通透、速度均属中等；
　　FOR AUDIO 的 音质表现 像青春少女一样、音色甜美；
　　LongLife 和 SILMIC( 棕神 ) 的 音质表现： 快速有力，适合表现现代音乐。
　　另外 ELNA 还有蓝袍， 其 音质表现中等。
　　黑金刚（ Black Gate F ） : 音色醇厚，对增加器材的音乐表现力大有帮助，适用于耦合。
　　松下金字 补品电容 ：音色均衡 , 最为突出表现是损耗角tgδ值在100Hz与1KHz相差无几。
　　红宝石（ RUBYCON）电容：作耦合高低频响较好、主要用在电源退耦，红宝石电容是国产功放用得最多的品牌。
　　三洋 OS-CON 电容：这种电容的电解质是固态的，其耐压不高， OS-CON 电容优点是高频性能好，寿命长，是普通电容 不能比的。音质表现：音色甜美，非常自然。
　　钽电容：流电小、稳定性好，但作 耦合高频柔软无力、缺乏穿透力、因而不适合作耦合，作退耦较好。
　　WIMA电容：特点是速度快、损耗低，音质表现自然平衡，音色偏冷，适合多种听音要求。WIMA电容品种较多，最好是Black Box，其次是MKP、 MKS，现在市面上多为拆机品，价格也不算贵。另一种是 ERO电容，特性与WIMA相近。
　　SOLEN电容：音色浓郁阴柔，富有音乐感。过于火辣的器材适合用SOLEN进补，最为突出表现是损耗角tgδ特别低，不愧为世界王牌聚丙烯电容！
　　RIFA电容：这种电容最适合进补分频器，对高频 穿透力极强。
　　汤姆逊 MKP电容： 音质表现自然平衡，中高频比较丰富。与WIMA电容较接近。
　　乐声金属化无感 CBB电容：音质表现自然平衡比汤姆逊MKP电容略低一筹。

耦合指信号由第一级向第二级传递的过程，一般不加注明时往往是指交流耦合。
退耦是指对电源采取进一步的滤波措施，去除两级间信号通过电源互相干扰的影响。
耦合常数是指耦合电容值与第二级输入阻抗值乘积对应的时间常数。

退耦有三个目的：

1.将电源中的高频纹波去除，将多级放大器的高频信号通过电源相互串扰的通路切断；
2.大信号工作时，电路对电源需求加大，引起电源波动，通过退耦降低大信号时电源波动对输入级/高电压增益级的影响；3.形成悬浮地或是悬浮电源，在复杂的系统中完成各部分地线或是电源的协调匹配。
1，耦合，有联系的意思。
2，耦合元件，尤其是指使输入输出产生联系的元件。
3，去耦合元件，指消除信号联系的元件。
4，去耦合电容简称去耦电容。
5，例如，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件，如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗（这需要计算）这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。

有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。

RC耦合电路

（1）RC退耦电路：

a）电路图：

图 5 RC退耦电路

b）工作原理：实现滤除交流信号而保留直流信号的电路通常称退耦电路，它本质上仍是一个低通滤波器，只是输入信号中的交流信号部分可能是噪声、瞬时尖脉冲、自激振荡或纹波干扰等。通过调整截止频率，大多数这类交流信号都能滤除掉，只剩下直流信号从电容上输出。

（2）耦合电路：

a）电路图：

图 6 RC耦合电路

b）工作原理：实现隔离直流信号而只让交流信号通过的电路通常称耦合电路，它实际上也是一个高通滤波器，只是输入信号中的交流信号往往是待放大的信号，而直流信号则是直流电源提供的。电路工作时，一开始电容器被充电到直流电压的电位，一旦电容被充电，电路中就不再有直流电流。此时，交流信号引起电容以交流信号的频率充电和放电，使电阻上有交流电流流过，也即产生交流输出。通过合理地选择元件的参数，可以保证交流信号以最小的衰减通过电容，输出到下一级负载。

用动态法修改BIOS，为了保证MINIT、HTINIT、1PE32、1PE32B、2PE32、2PE32B各个模块在BIOS中位置不变，我们经常用模块修补的方法，但过程有些繁琐，现在向大家提供一种可行的AWARD BIOS模块合并的方法。
通过前面的AWARD BIOS 压缩模块分析，我们很容易就能修改模块的大小，修改校验码。

首先我们用CBROM查找BIOS中模块容量最小且在这些需要修正入口地址的模块之前，大小在374-1024B，如EPA模块就基本能符合我们的要求。
接下来把我们找到的理想合并模块完整的保存成一个文件，从BIOS中把此模块剪切掉，此时BIOS容量变小；查找BIOS最后一个模块的尾部把保存的文件进行写入，查找ACPITBL.BIN模块的尾部把保存的文件进行粘贴，此时BIOS容量恢复。把粘贴进来的这个模块填充“FF”
最后把ACPITBL的模块长度+保存下来的模块长度修正到ACPITBL模块中并修正校验码,到此模块合并完毕,还差最后一步计算主模块到(BIOS容量-10003H)的checksum16填入(BIOS容量-10002H)，切记必须修正BIOS的头部信息，不然刷完直接进不了BIOS也进不了系统，此头部信息可以通过CBROM加入ACPITBL.BIN后获得。用AWARD SLIC MOD v1.29特别版，把事先修改完成的MAIN_MOD.BIN和ACPI_MOD.BIN放于目录下，选择动态法，就能完美修改咯

模块大小：000258D

未压缩实际大小：0000583C

Checksum16: 填写阴影部分的Checksum8

压缩>0: 不压缩的模块为0

模块结束：模块结束标志为“00”或者“FF”，一个模块的结束链接着另一个模块的开始；本例里中ACPITBL.BIN模块的起始点为标记的“24”

最近帮网友搞一台联想家悦机子的MARK，老提示写保护，用过了许多的方法都不行，百般无奈只能对1B模块入手进行修改。

据网友说：机子本来是预装VISTA的，有SLIC 2.0，后来想升级到2.1，按照论坛里的方法都试过了好几遍，不但没成功反而把原来的2.0搞没了，刷回原备份的BIOS一样没SLIC 2.0，只是一张LENOVOTC-03的空表，真是郁闷。

于是我就开始探索着去分析各种失败的原因，历经波折MARK还是失败。于是不得不对1B模块进行改造，因为1B模块里就已经有SLIC的信息了，只是这个SLIC信息不完整，只是个空壳，还需要MARK区域的数据来填充，既然MARK区域是写不进去了，那就移除掉从MARK区域来填充SLIC的操作。
把ACPITBL从1B模块分离出来，分析


可以看出SLIC表起始地址处于0440，就搜索HEX：4004，查找对SLIC的一些操作，发现了两处对SLIC的操作，如下

;清空SLIC

0001C3ED: EB0C                        jmps       00001C3FB  --- (1)
0001C3EF: 687758                      push       05877 ;'Xw'
0001C3F2: 07                          pop        es
0001C3F3: BF4004                      mov        di,00440 ;'@'
0001C3F6: 0E                          push       cs
0001C3F7: E80600                      call       00001C400  --- (2)
0001C3FA: F9                          stc
0001C3FB: 1F                          pop        ds
0001C3FC: 07                          pop        es
0001C3FD: 6661                        popad
0001C3FF: CB                          retf
0001C400: 6651                        push       ecx
0001C402: 50                          push       ax
0001C403: 6657                        push       edi
0001C405: B000                        mov        al,0
0001C407: 66B976010000                mov        ecx,000000176 ;'  v'
0001C40D: AA                          stosb
0001C40E: E2FD                        loop       00001C40D  --- (3)
0001C410: 665F                        pop        edi
0001C412: 58                          pop        ax
0001C413: 6659                        pop        ecx
0001C415: CB                          retf

 

;填充SLIC

0001C458: 665E                        pop        esi
0001C45A: 1F                          pop        ds
0001C45B: 06                          push       es
0001C45C: 1F                          pop        ds
0001C45D: 33F6                        xor        si,si
0001C45F: 687758                      push       05877 ;'Xw'
0001C462: 07                          pop        es
0001C463: BF4004                      mov        di,00440 ;'@'
0001C466: 83C724                      add        di,00024 ;'$'
0001C469: 66B952010000                mov        ecx,000000152 ;'  R'
0001C46F: FC                          cld
0001C470: F3A4                        repe       movsb
0001C472: 1F                          pop        ds
0001C473: 07                          pop        es
0001C474: 6661                        popad
0001C476: CB                          retf
 

问题就是在这两处，即便你把1B模块的SLIC补充完整了，但是一个清空SLIC和一个填充SLIC操作，就把你补充完整的SLIC给抹杀了，移除这两处对SLIC的操作，不就可以使填充的SLIC信息保全了吗？

具体修改

0001C40D: 90                          nop
0001C40E: 90                          nop
0001C40F: 90                          nop

0001C46F: 90                          nop
0001C470: 90                          nop
0001C471: 90                          nop

再把SLIC信息填充完整，用MMTOOL把1B压缩回BIOS就OK了，从此摆脱MARK区域的数据限制。